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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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描述
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SIS447DN-T1-GE3
SIS447DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

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合计: ¥7.02561

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SI2371EDS-T1-GE3
SI2371EDS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Tc) 最大功耗: 1W(Ta),1.7W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.25931

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SIR440DP-T1-GE3
SIR440DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.28252

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SISA01DN-T1-GE3
SISA01DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22.4A(Ta)、60A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

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合计: ¥7.02561

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IRF740BPBF
IRF740BPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 147W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.29892

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合计: ¥11.29892

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SQ4401EY-T1_BE3
SQ4401EY-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.3A(Tc) 最大功耗: 7.14W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.23570

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IRFL110TRPBF
IRFL110TRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.1W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

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SIR826DP-T1-GE3
SIR826DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.30813

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合计: ¥22.30813

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IRFL014TRPBF
IRFL014TRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.1W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

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SQM120P04-04L_GE3
SQM120P04-04L_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥27.59545

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SQS484ENW-T1_GE3
SQS484ENW-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.09804

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SQM85N15-19_GE3
SQM85N15-19_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥27.59545

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SQM50020EL_GE3
SQM50020EL_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥27.59545

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SISS27ADN-T1-GE3
SISS27ADN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 57W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.17047

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SIHD14N60E-GE3
SIHD14N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 147W(Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.38296

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IRL640SPBF
IRL640SPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.45539

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SI7190DP-T1-GE3
SI7190DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.4A(Tc) 最大功耗: 5.4W (Ta), 96W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.49981

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SI4434DY-T1-GE3
SI4434DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A(Ta) 最大功耗: 1.56W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.74271

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SQJ476EP-T1_GE3
SQJ476EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.17047

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SUM70030E-GE3
SUM70030E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥27.88517

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