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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SQJ418EP-T1_GE3
SQJ418EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.98120

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合计: ¥8.98120

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SI4103DY-T1-GE3
SI4103DY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、16A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、5.2W(Tc) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.86675

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合计: ¥5.86675

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SI7460DP-T1-GE3
SI7460DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.65867

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合计: ¥16.65867

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IRLU024PBF
IRLU024PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: TO-251AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.89236

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合计: ¥12.89236

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SIHG22N60AEL-GE3
SIHG22N60AEL-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.70990

49

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合计: ¥30.70990

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SQJA26EP-T1_GE3
SQJA26EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 410A (Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.68908

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合计: ¥13.68908

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SISS92DN-T1-GE3
SISS92DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A(Ta),12.3A(Tc) 最大功耗: 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.05363

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合计: ¥9.05363

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IRFR9120TRLPBF-BE3
IRFR9120TRLPBF-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.45779

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合计: ¥12.45779

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IRFR214PBF-BE3
IRFR214PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.00921

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SIRA74DP-T1-GE3
SIRA74DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Ta),81.2A(Tc) 最大功耗: 4.1W (Ta), 46.2W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.67747

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SIRA20BDP-T1-GE3
SIRA20BDP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 82A (Ta), 335A (Tc) 最大功耗: 6.3W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.45779

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SQJQ150E-T1_GE3
SQJQ150E-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 233A(Tc) 最大功耗: 187W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.87596

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合计: ¥16.87596

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SIS435DNT-T1-GE3
SIS435DNT-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 39W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.93918

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SIR574DP-T1-RE3
SIR574DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.1A(Ta),48.1A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 78W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.45779

0

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SI4134DY-T1-E3
SI4134DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.93918

0

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合计: ¥5.93918

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IRFR014PBF-BE3
IRFR014PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.08164

3

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SIR516DP-T1-RE3
SIR516DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.8A(Ta),63.7A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 71.4W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.83394

9

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SQ4470EY-T1_BE3
SQ4470EY-T1_BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 7.1W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.45779

0

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SISS22LDN-T1-GE3
SISS22LDN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25.5A(Ta),92.5A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 65.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.12605

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SQJA84EP-T1_GE3
SQJA84EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.19848

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