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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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品牌型号
描述
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SIHD5N80AE-GE3
SIHD5N80AE-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.25691

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合计: ¥8.25691

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IRLR120PBF
IRLR120PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.53022

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合计: ¥12.53022

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SI7848BDP-T1-E3
SI7848BDP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Ta), 36W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.25451

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IRFR110TRPBF-BE3
IRFR110TRPBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

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合计: ¥7.60505

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SQM120N04-1M7L_GE3
SQM120N04-1M7L_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥26.07444

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IRFR014TRPBF-BE3
IRFR014TRPBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

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SI7658ADP-T1-GE3
SI7658ADP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5.4W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.16327

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IRF530PBF-BE3
IRF530PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.64706

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IRF820PBF-BE3
IRF820PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.64706

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SISS78LDN-T1-GE3
SISS78LDN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 70 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19.4A(Ta),66.7A(Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 57W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 sh 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.14006

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SQ3426EV-T1_BE3
SQ3426EV-T1_BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.86675

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SI2325DS-T1-E3
SI2325DS-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 530毫安 (Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

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SI2325DS-T1-GE3
SI2325DS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 530毫安 (Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

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SUM40014M-GE3
SUM40014M-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥26.43659

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SI7317DN-T1-GE3
SI7317DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta),19.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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SI3483CDV-T1-GE3
SI3483CDV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),4.2W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

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SI7852DP-T1-GE3
SI7852DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.38056

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SISS12DN-T1-GE3
SISS12DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37.5A (Ta), 60A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 65.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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SI7119DN-T1-GE3
SI7119DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

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SIR882BDP-T1-RE3
SIR882BDP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A(Ta),67.5A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 83.3W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.16807

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