9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUM40014M-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUM40014M-GE3参考价格$3.65000。Vishay Siliconix SUM40014M-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7。您可以下载SUM40014M-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUM40N15-38-E3是MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SUM40N14-38的零件别名，其提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-263（D2Pak），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.75W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为2500pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为40A（Tc），最大Id Vgs的Rds为38mOhm@15A、10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为60nC@10V，Pd功耗为3.75W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为90 ns，上升时间为130 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 A，Vds漏极-源极击穿电压为150 V，Rds漏极源极电阻为38 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为10S，信道模式为增强。
SUM45N25-58-E3是MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在30 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于250 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，典型开启延迟时间设计为22 ns，以及40 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有供应商器件封装的TO-263（D2Pak），系列为TrenchFETR，上升时间为220ns，Rds On Max Id Vgs为58mOhm@20A，10V，Rds On Drain Source Resistance为58mohm，Power Max为3.75W，Pd功耗为3.75WW，零件别名为SUM45N25-58，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+175 C，输入电容Cis-Vds为5000pF@25V，Id连续漏极电流为45 A，栅极电荷Qg-Vgs为140nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为145 ns，漏极-源极电压Vdss为250V，电流连续漏极Id 25°C为45A（Tc），并且配置为单一，信道模式为增强。
SUM40N15-38-T5-E3，带有VISHAY制造的电路图。SUM40N15-38-T5-E3采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
SUM45N25-52，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SUM45N25-52采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
