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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SQJQ112ER-T1_GE3
SQJQ112ER-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 296A(Tc) 最大功耗: 600W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥29.33375

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IRF840BPBF-BE3
IRF840BPBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.7A (Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.64706

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SISS30ADN-T1-GE3
SISS30ADN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.9A(Ta),54.7A(Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 57W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.14006

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SQ3427AEEV-T1_BE3
SQ3427AEEV-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.93918

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合计: ¥5.93918

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SISH434DN-T1-GE3
SISH434DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.6A(Ta)、35A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 sh 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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合计: ¥8.90877

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SQ4005EY-T1_BE3
SQ4005EY-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 6W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.60505

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SIR466DP-T1-GE3
SIR466DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 54W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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合计: ¥8.90877

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SQJ158EP-T1_GE3
SQJ158EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.50460

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SIHB22N60AEL-GE3
SIHB22N60AEL-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥28.39217

87

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SI7308DN-T1-GE3
SI7308DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta),19.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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SUD35N10-26P-BE3
SUD35N10-26P-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、35A(Tc) 最大功耗: 8.3W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.51381

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合计: ¥16.51381

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SUD19P06-60-E3
SUD19P06-60-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.3A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),38.5W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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SI4459BDY-T1-GE3
SI4459BDY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.5A(Ta)、27.8A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta),5.6W(Tc) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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SUM70030M-GE3
SUM70030M-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥26.79873

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IRF9Z14SPBF
IRF9Z14SPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 43W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.74750

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SQ9407EY-T1_GE3
SQ9407EY-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TA)

¥8.98120

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SQ9407EY-T1_BE3
SQ9407EY-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.98120

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SISA72ADN-T1-GE3
SISA72ADN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25.4A(Ta),94A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.79432

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SIR826LDP-T1-RE3
SIR826LDP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21.3A(Ta)、86A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.38536

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SUD15N15-95-BE3
SUD15N15-95-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 2.7W(Ta)、62W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.65867

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