特色
- 超低导通电阻 - rDS（开）=0.092Ω，VGS=10V - rDS（ON）=0.107Ω，VGS=5V
- 仿真模型 - 温度补偿PSPICE®和SABER™ 电气模型 - Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS评级曲线
- 开关时间与RGS曲线
应用
- AC-DC商用电源
- 其他工业
- 家用电器
HUF76407D3ST
- 描述:MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2500
- 库存: 0
- 单价: ¥4.13077
-
数量:
- +
- 总计: ¥10,326.93
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管特性 -
- 场效应管类型 -
- 技术 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
HUF76407D3ST 产品详情
N沟道逻辑电平UltraFET功率MOSFET 60V，11A，107mΩ
HUF76407D3ST 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | HUF75307T3ST136 | 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL, | ¥1.7383 | |
 | HUFA76407DK8T | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.9836 | |
 | HUFA76413DK8T | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.63546 | |
 | HUF75639S3ST_Q | TRANS MOSFET N-CH 100V 56A 3PIN( | ¥7.82233 | |
 | HUF7554S3S | HUF755453S - 75A, 80V, 0.010 OHM | ¥9.9952 | |
 | HUF75637S3 | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | ¥10.86435 | |
| HUFA75433S3ST | 64A, 60V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO | ¥7.90932 | |
| HUF76407D3ST | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | ¥4.13077 |
 | HUFA76407D3S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥109.23742 |
 | HUFA76443P3 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 260W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥34.83835 |
HUF76407D3ST所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，HUF76407D3ST 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HUF76407D3ST价格参考￥4.130771，你可以下载 HUF76407D3ST中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HUF76407D3ST规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
