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HUFA76404DK8T是MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8-SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装型功能。此外，漏极到源极电压Vdss为62V，该器件提供250pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3.6A，最大Id Vgs的Rds为110mOhm@3.6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为4.9nC@5V。
HUFA75852G3_F085和用户指南，包括150 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.225401 oz单位重量运行，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及16 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作500W Pd功率耗散。此外，包装为管式，装置采用TO-247-3包装盒，装置具有1个通道数，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为75 a。
HUFA76407D3S是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 12A DPAK。HUFA76407D3S可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 12A DPak、N沟道60V 12A（Tc）38W（Tc）表面安装TO-252AA、Trans MOSFET N-CH60V 12A-3-Pin（2+接线片）TO-252A。
