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HUFA76409D3ST是MOSFET N-CH 60V 18A DPAK，包括UltraFET系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有49 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为17 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为52mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为41ns，典型接通延迟时间为5.3ns，沟道模式为增强型。
HUFA76409D3S是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 18A DPAK。HUFA76409D3S可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 18A DPak、N沟道60V 18B（Tc）49W（Tc）表面安装TO-252AA、Trans MOSFET N-CH60V 17A 3-Pin（2+接线片）TO-252AB。
HUFA76413DK8，带有FAIRHILD制造的电路图。HUFA76413DK8在SOP8包中提供，是FET阵列的一部分。
