特色
- 集成肖特基二极管
- 低rDS（开启）以最小化传导损耗
- 低电容使驱动器损耗最小化
- 优化栅极电荷以最小化开关损耗
- 符合RoHS
应用
- CPU供电
- DC-DC转换器的同步整流
- 低压侧开关
- 电信二次侧整流
NTMFS4985NFT3G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A（Ta）、65A（Tc） 最大功耗: 1.63W（Ta），22.73W（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 834
- 库存: 2260000
- 单价: ¥2.60744
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,174.61
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 部件状态 过时的
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 漏源电流 (Id) @ 温度 17.5A（Ta）、65A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 3.4毫欧姆@30A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@1毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30.5 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2100 pF@15 V
- 最大功耗 1.63W（Ta），22.73W（Tc）
NTMFS4985NFT3G 产品详情
功率MOSFET 30 V，65 A，单N−通道，SO−8 FL
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NTMFS4985NFT3G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMFS4985NFT3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFS4985NFT3G价格参考￥2.607444，你可以下载 NTMFS4985NFT3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFS4985NFT3G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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