NVG800A75L4DSB
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渠道:
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2338.49929 | 2338.49929 |
| 200+ | 904.96855 | 180993.71180 |
| 500+ | 873.16696 | 436583.48450 |
| 1000+ | 857.45534 | 857455.34500 |
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NVG800A75L4DSB 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVG800A75L4DSC | 安盛美 (onsemi) | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 800 A 电压: 750 V 隔离电压: 4200Vrms 参数配置: 半桥 包装/外壳: 模块 | ¥808.37622 |
 | NVG800A75L4DSC-Z008 | 安盛美 (onsemi) | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 800 A 电压: 750 V 隔离电压: 4200Vrms 参数配置: 半桥 包装/外壳: 模块 | ¥239.16696 |
 | NVGS5120PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A（Ta） 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.61328 |
 | NVGS3441T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.65A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥174.24969 |
 | NVGS4111PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.25616 |
 | NVGS3130NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.29432 |
 | NVGS3443T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.01027 |
 | NVGS3443T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥65.5917 |
| NVG800A75L4DSB | 暂无 | ¥2,338.49929 | |
| NVG002F | 九芯电子 (NINE CIHP) | 暂无 | ¥3.19487 |
NVG800A75L4DSB所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），NVG800A75L4DSB 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVG800A75L4DSB价格参考￥2338.499290，你可以下载 NVG800A75L4DSB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVG800A75L4DSB规格参数、现货库存、封装信息等信息！