NVG800A75L4DSC-Z008
- 描述:种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 800 A 电压: 750 V 隔离电压: 4200Vrms 参数配置: 半桥 包装/外壳: 模块
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥239.16696
-
数量:
- +
- 总计: ¥239.17
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 种类 绝缘栅双极晶体管
- 包装/外壳 模块
- 参数配置 半桥
- 安装类别 机箱安装
- 电流属性 800 A
- 电压 750 V
- 隔离电压 4200Vrms
NVG800A75L4DSC-Z008 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVG800A75L4DSC | 安盛美 (onsemi) | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 800 A 电压: 750 V 隔离电压: 4200Vrms 参数配置: 半桥 包装/外壳: 模块 | ¥808.37622 |
| NVG800A75L4DSC-Z008 | 安盛美 (onsemi) | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 800 A 电压: 750 V 隔离电压: 4200Vrms 参数配置: 半桥 包装/外壳: 模块 | ¥239.16696 |
 | NVGS5120PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A（Ta） 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.61328 |
 | NVGS3441T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.65A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥174.24969 |
 | NVGS4111PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.25616 |
 | NVGS3130NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.29432 |
 | NVGS3443T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.01027 |
 | NVGS3443T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥65.5917 |
 | NVG800A75L4DSB | 暂无 | ¥2,338.49929 | |
| NVG002F | 九芯电子 (NINE CIHP) | 暂无 | ¥3.19487 |
NVG800A75L4DSC-Z008所属分类：功率驱动器模块，NVG800A75L4DSC-Z008 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVG800A75L4DSC-Z008价格参考￥239.166961，你可以下载 NVG800A75L4DSC-Z008中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVG800A75L4DSC-Z008规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
