特色
- 用于低导通电阻的前沿沟槽技术
- 用于快速开关的低栅极电荷
- 小型（3 x 2.75 mm）TSOP-6包装
- AEC−Q101合格和PPAP能力
应用
- DC-DC转换器
- 锂离子电池应用
- 负载/电源切换
NVGS3130NT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 4.29431 | 12882.94500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.29432
-
数量:
- +
- 总计: ¥12,882.95
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 最大功耗 600mW (Ta)
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.2A (Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@250A.
- 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@5.6A，4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20.3 nC@4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 935 pF@16 V
- 色彩/颜色 White
NVGS3130NT1G 产品详情
汽车功率MOSFET。20V 5.6A 24 mOhm单N沟道TSOP6.AEC-Q101合格MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVGS3130NT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVG800A75L4DSC | 安盛美 (onsemi) | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 800 A 电压: 750 V 隔离电压: 4200Vrms 参数配置: 半桥 包装/外壳: 模块 | ¥808.37622 |
 | NVG800A75L4DSC-Z008 | 安盛美 (onsemi) | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 800 A 电压: 750 V 隔离电压: 4200Vrms 参数配置: 半桥 包装/外壳: 模块 | ¥239.16696 |
 | NVGS5120PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A（Ta） 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.61328 |
 | NVGS3441T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.65A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥174.24969 |
 | NVGS4111PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.25616 |
| NVGS3130NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.29432 |
 | NVGS3443T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.01027 |
 | NVGS3443T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥65.5917 |
 | NVG800A75L4DSB | 暂无 | ¥2,338.49929 | |
| NVG002F | 九芯电子 (NINE CIHP) | 暂无 | ¥3.19487 |
NVGS3130NT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVGS3130NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVGS3130NT1G价格参考￥4.294315，你可以下载 NVGS3130NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVGS3130NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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