特色
- 用于低RDS的前沿沟槽技术（开启）
- 提高系统效率
- 4.5 V门额定值
- AEC−Q101合格和PPAP能力
应用
- 负载开关
- 打印机和通信设备的电源开关
- 低电流逆变器和DC-DC
- 信息娱乐系统。收音机。导航系统。群集
（图片：引出线）
NVGS5120PT1G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A（Ta） 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 14.61327 | 14.61327 |
- 库存: 10
- 单价: ¥14.61328
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.61
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-通道
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 最大功耗 600mW (Ta)
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.8A（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 111毫欧姆@2.9A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18.1 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 942 pF@30 V
- 材质 钢
NVGS5120PT1G 产品详情
汽车功率MOSFET是低功率应用的理想选择-60V，-2.9A，111 mΩ，单P通道，TSOP-6，逻辑电平。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVGS5120PT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVG800A75L4DSC | 安盛美 (onsemi) | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 800 A 电压: 750 V 隔离电压: 4200Vrms 参数配置: 半桥 包装/外壳: 模块 | ¥808.37622 |
 | NVG800A75L4DSC-Z008 | 安盛美 (onsemi) | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 800 A 电压: 750 V 隔离电压: 4200Vrms 参数配置: 半桥 包装/外壳: 模块 | ¥239.16696 |
| NVGS5120PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A（Ta） 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.61328 |
 | NVGS3441T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.65A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥174.24969 |
 | NVGS4111PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.25616 |
 | NVGS3130NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.29432 |
 | NVGS3443T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.01027 |
 | NVGS3443T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥65.5917 |
 | NVG800A75L4DSB | 暂无 | ¥2,338.49929 | |
| NVG002F | 九芯电子 (NINE CIHP) | 暂无 | ¥3.19487 |
NVGS5120PT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVGS5120PT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVGS5120PT1G价格参考￥14.613275，你可以下载 NVGS5120PT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVGS5120PT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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