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FDMA1032CZ是MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.00141盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-WDFN暴露焊盘，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的6 MicroFET（2x2），配置为N通道P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为700mW，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为340pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.7A、3.1A，最大Id Vgs为68 mOhm@3.7A、4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6nC@4.5V，Pd功耗为1.4 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为8 ns 11 ns，上升时间为8 ns11 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为3.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为37 mΩ，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为14ns 37ns，典型接通延迟时间为8ns 13ns，正向跨导最小值为16S-11S，信道模式为增强。
FDMA1029PZ是MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在12 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.001411盎司，典型开启延迟时间设计为13 ns，该器件还可以用作2P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的6-MicroFET（2x2），系列为PowerTrenchR，上升时间为11ns，Rds On Max Id Vgs为95mOhm@3.1A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为60mOhm，功率最大为700mW，Pd功耗为1.4W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为6-WDFN暴露垫，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为540pF@10V，Id连续漏极电流为3.1 A，栅极电荷Qg Vgs为10nC@4.5V，正向跨导最小值为-11 S，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为11 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.1A，并且配置是双重的，信道模式是增强的。
FDMA1028NZ_F021带有电路图，包括3.7A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在6nC@4.5V下工作，以及340pF@10V输入电容Cis Vds，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供2个通道数量的通道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为6-WDFN暴露焊盘，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为700mW，漏极-源极电阻为3.9 mOhm，最大Id Vgs为68 mOhm@3.7A，4.5V，该系列为PowerTrenchR，供应商器件封装为MicroFET 2x2，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，单位重量为0.002116盎司，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs最大Id为1.5V@250μA。
