9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH6PDHM3/87A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH6PDHM3/87A参考价格为0.464美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH6PDHM3/87A封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A。您可以下载UH6PDHM3/87A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH5JT-E3/4W是DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于to-220-2，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为3V@5A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为40ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为3 V（5 A），Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为60 A，恢复时间为40 ns。
UH6PDHM3/86A带用户指南，包括1.05V@6A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR以及140ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为6A，电容Vr F为80pF@4V，1MHz。
UH51413-S1，电路图由FOXCONN制造。UH51413-S1采用NN封装，是IC芯片的一部分。
