9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH6PJ-M3/86A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH6PJ-M3/86A参考价格为5.796美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH6PJ-M3/86A封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A。您可以下载UH6PJ-M3/86A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如UH6PJ-M3/86A价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
UH6PJHM_3_A/H，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于to-277A（SMPC），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@600V，该器件提供3V@6A电压正向Vf Max If，该器件具有600V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为6A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
UH6PJHM_3_A/I带用户指南，包括3V@6A正向电压Vf Max。如果设计为在600V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为6A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz。
带电路图的UH6PJHM3/87A，包括6A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及to-277，3电源DFN封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-277A（SMPC），直流反向电压Vr Max为600V，正向电压Vf Max If为3V@6A。
