9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH6PD-M3/86A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH6PD-M3/86A参考价格$2.182。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH6PD-M3/86A封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A。您可以下载UH6PD-M3/86A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH6PDHM_3_A/H，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于to-277A（SMPC），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@200V，该器件提供1.05V@6A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为6A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为80pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
UH6PDHM_3_A/I带用户指南，包括1.05V@6A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为6A，电容Vr F为80pF@4V，1MHz。
带电路图的UH6PDHM3/87A，包括6A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装型功能，如表面安装，其工作温度结区范围为-55°C~175°C，以及to-277，3功率DFN封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-277A（SMPC），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.05V@6A。
