9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH6PJ-M3/87A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH6PJ-M3/87A参考价格为0.386美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH6PJ-M3/87A封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A。您可以下载UH6PJ-M3/87A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UH6PJ-M3/86A是DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A，包括eSMPR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-277、3-PowerDFN以及表面安装安装类型，该设备也可以用作TO-277A（SMPC）供应商设备包。此外，该配置为单双阳极，该设备的快速恢复速度为200mA（Io），该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，正向电压Vf Max If为3V@6A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为6A，反向恢复时间trr为45ns，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为3 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为6 A，最大浪涌电流为80 A，恢复时间为45ns。
UH6PJHM_3_A/H带用户指南，包括3V@6A正向电压Vf Max。如果设计为在600V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为6A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz。
UH6PJHM_3_A/I，带电路图，包括30pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于6A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μA@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可用作TO-277，3-PowerDFN封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备提供25ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列eSMPR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为TO-277A（SMPC），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为3V@6A。
