1N823A

Name: 1N823A
Brand: NTE电子 (NTE)
SKU: 7017278-1N823A
Price: 26.364156 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度
品牌: NTE电子 (NTE)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 5

数量	单价	合计
5+	26.36415	131.82078
10+	25.06043	250.60434
20+	23.75671	475.13424
50+	22.38056	1119.02805
100+	21.87355	2187.35580

库存: 247
单价: ¥26.36416
数量:
- +
总计: ¥131.82

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规格参数

部件状态可供货
工作温度 -65摄氏度~175摄氏度
公差 ±5%
最大功率 500 mW
安装类别通孔
包装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向
标称齐纳电压 (Vz) 6.2 V
供应商设备包装 DO-35（DO-204AH）
最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) -
最大阻抗值 (Zzt) 10欧姆
反向漏电流 @ 直流反向电压 2 A @ 3 V
制造厂商 NTE电子 (NTE)

1N823A 产品详情

1N823A是一个温度补偿齐纳参考二极管，具有密封玻璃外壳、耐腐蚀镀锡引线表面和阴极极性。这种硅器件是低电平、温度补偿的齐纳参考二极管。氧化物钝化结使其具有稳定性，并使该二极管成为高度可靠的参考源。玻璃密封结构提供了坚固、密封的装置。

特色

7.5mA测试电流
10R最大阻抗

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型号	制造商	描述	价格
1N8167/TR	微芯 (Microchip)	种类: Zener 典型反向偏差电压: 40伏最大钳位电压: 64.6V 供应商设备包装: Axial 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）安装类别: 通孔	¥173.68474
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1N888 BK	中央半导体 (Central)	TRANSISTOR	¥45.66909
1N823A/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥25.42258
1N825A-1E3	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 5.89 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥32.37576
1N827	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度	¥41.93639
1N827-1	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度	¥41.93639
1N829-1/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度	¥60.51479
1N829-1	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度	¥59.21071
1N829A-1	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥59.21071