9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的2N5089，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。2N5089参考价格为0.14000美元。NTE Electronics，Inc 2N5089封装/规格：TRANS NPN 25V 50MA TO92-3。您可以下载2N5089英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N5088TA是TRANS NPN 30V 0.1A TO-92，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于2N5088TA_NL零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.008466盎司，具有通孔等安装方式特征，包装盒设计用于TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成型导线），除了通孔安装类型之外，该设备还可以用作TO-92-3供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为625mW，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为100mA，集电器-发射极击穿最大值为30V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为300@100μa，5V，Vce饱和最大值Ib-Ic为500mV@1mA，10mA，集电器截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为50MHz，Pd功耗为625mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为30 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.5 V，集电极基极电压VCBO为35 V，且发射极基极电压VEBO为4.5V，且最大DC集电极电流为0.1A，且增益带宽乘积fT为50MHz，且连续集电极电流是0.1A，并且DC集电极基极增益hfe Min为300，且DC电流增益hfe Max为900。
2N5088TF是TRANS NPN 30V 0.1A TO-92，包括30V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在500mV@1mA、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.008466 oz的晶体管，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计用于NPN，以及TO-92-3供应商设备包，该设备也可以用作625mW最大功率。此外，Pd功耗为625mW，该设备采用切割胶带（CT）替代包装包装，该设备具有TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成型引线）封装盒，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，最大直流集电极电流为0.1 A，增益带宽积fT为50 MHz，频率转换为50MHz，发射极基极电压VEBO为4.5 V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为300@100μA，5V，直流电流增益hFE最大值为900，直流集电极基极增益hFE最小值为300，且集电极Ic Max为100mA，集电极截止电流Max为50nA（ICBO），且连续集电极电流为0.1A，且配置为单体，且集电极-发射极电压VCEO Max为30V，且集极-发射极饱和电压为0.5V，且集极基极电压VCBO为35V。
2N5088TAR是TRANS NPN 30V 0.1A TO-92，包括35 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在0.5 V集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max如数据表注释所示，用于30 V，提供配置功能，如单、连续集电极电流设计为在0.1 a下工作，除了300 DC集电极基极增益hfe Min，该器件还可以用作900 DC电流增益hfe Max。此外，发射极基极电压VEBO为4.5 V，该器件提供50 MHz增益带宽产品fT，该器件的最大DC集电极电流为0.1 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为通孔，封装外壳为TO-92-3弯铅，封装为弹药包，零件别名为2N5088TAR_NL，Pd功耗为625mW，晶体管极性为NPN，单位重量为0.008466盎司。
2N5088G，带有ON制造的EDA/CAD型号。2N5088G采用TO-92封装，是IC芯片、双极（BJT）晶体管NPN 30V 50mA 50MHz 625mW通孔TO-92-3、Trans-GP BJT NPN 30W 0.05A 625mW 3引脚TO-92盒的一部分。
