9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的BSS64AT116，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSS64AT116参考价格为0.38000美元。Rohm Semiconductor BSS64AT116封装/规格：TRANS 100V 100A SOT-23。您可以下载BSS64AT116英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSS64LT1G是TRANS NPN 80V 0.1A SOT-23，包括BSS64L系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装型，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为225mW，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为100mA，集电器-发射极击穿最大值为80V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为20@10mA，1V，Vce饱和最大值Ib Ic为200mV@15mA，50mA，集电器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为60MHz，Pd功耗为225W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为80 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.2 V，集电极基极电压VCBO为120 V，并且发射极基极电压VEBO是5V，并且最大DC集电极电流是0.1A，并且增益带宽乘积fT是60MHz，并且连续集电极电流为0.1A，以及DC集电极基极增益hfe Min是20。
BSS64215是TRANS NPN 80V 0.1A SOT23，包括80V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在200mV@15mA、50mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如用于NPN的数据表注释所示，该NPN提供供应商设备包功能，如SOT-23（to-236AB），该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，该器件为表面安装安装型，该器件具有100MHz的频率转换，直流电流增益hFE最小Ic Vce为20@10mA，1V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止最大值为100nA（ICBO）。
BSS64/AT，电路图由PHILIPS制造。BSS64/AT在SOT23封装中提供，是IC芯片的一部分。
BSS64LT1是ON公司制造的TRANS NPN 80V 0.1A SOT-23。BSS64LT2采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分，并支持TRANS NPV 80V 0.1B SOT-23、双极（BJT，Bipolar）晶体管NPN 80A 100mA 60MHz 225mW表面安装SOT-23-2（TO-236）、TRANS GP BJT NPN 80W 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R。
