9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSS80C，该产品在9icnet现场销售，可以通过原始工厂和代理商等渠道购买。BSS80C参考价格为0.03000美元。Infineon Technologies BSS80C封装/规格：小信号双极晶体管。您可以下载BSS80C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BSS80C价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BSS806NH6327XTSA1是MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3，包括BSS806系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSS806N BSS806NH6317XT H6327 SP000928952的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1 N沟道，该器件为1 N型沟道晶体管，该器件具有500 mW的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.7 ns，上升时间为9.9ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.3 a，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.55V，Rds导通漏极-漏极电阻为82mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为7.5ns，Qg栅极电荷为1.7nC，正向跨导最小值为9S，沟道模式为增强。
BSS806NH6327XT是MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，提供典型的关断延迟时间特性，如12 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为BSS806，器件的上升时间为9.9ns，器件的漏极-源极电阻为57mOhms，Qg栅极电荷为1.7nC，Pd功耗为500mW，部件别名为BSS806NH6327XTSA1 SP000928952，封装为卷筒，封装盒为SOT-23-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.3 A，下降时间为3.7 ns，配置为单一。
BSS806NH6327，电路图由SON/INFINEON制造。BSS806NH6327采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
