采用TO-39金属封装的NPN达林顿晶体管。PNP补充：BSS61和BSS62。
应用
•工业高增益放大。
特色
•高电流（最大1 A）
•低电压（最高80 V）
•集成二极管和电阻器。
BSS52
- 描述:晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 800 mW 供应商设备包装: TO-39
- 品牌: 中央半导体 (Central)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥1.63690
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.64
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规格参数
- 特征频率 -
- 安装类别 通孔
- 晶体管类别 NPN-达林顿
- 最大集电极电流 (Ic) 1A
- 集电极击穿电压 80 V
- 制造厂商 中央半导体 (Central)
- 工作温度 -65摄氏度~200摄氏度（TJ）
- 集电极最大截止电流 50nA (ICBO)
- 最大功率 800 mW
- 包装/外壳 TO-205AD、TO-39-3金属罐
- 供应商设备包装 TO-39
- 最小直流增益 2000@500毫安，10V
- 部件状态 上次购买
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 1.6V@4毫安，1A
BSS52 产品详情
BSS52 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSS63LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS PNP 100V 100MA SOT-23 | ¥0.14486 |
| BSS63,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 100V 100MA SOT23 | ¥0.14486 |
 | BSS159NH6327XTSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
| BSS169H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA | ¥3.29997 |
 | BSS308PEH6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A | ¥1.30769 |
 | BSS138PS | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41679 |
| BSS138NH6327-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.05442 |
| BSS131 | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 暂无 | ¥0.54386 |
| BSS138LT1G-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09695 |
| BSS138W-7-F-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09309 |
BSS52所属分类：分立双极结型晶体管，BSS52 由 中央半导体 (Central) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS52价格参考￥1.636895，你可以下载 BSS52中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS52规格参数、现货库存、封装信息等信息！
中央半导体 (Central)
自1974年以来，Central Semiconductor一直在全球制造用于电子产品的创新分立半导体。目前，设备包括标准和定制小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFET、二极管、整流器、保护设备、限流...
