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BSS84PWH6327XTSA1

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 特征频率 -
  • 晶体管类别 -
  • 最大集电极电流 (Ic) -
  • 集电极击穿电压 -
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) -
  • 集电极最大截止电流 -
  • 最小直流增益 -
  • 最大功率 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 包装/外壳 -
  • 供应商设备包装 -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)

BSS84PWH6327XTSA1 产品详情

Infineon SIPMOS®P沟道MOSFET

这个英飞凌科技硅橡胶®小信号P沟道MOSFET具有几个特点,包括增强模式、低至-80A的连续漏电流以及宽的工作温度范围。SIPMOS功率晶体管可用于各种应用,包括电信、eMobility、笔记本电脑、DC/DC设备以及汽车行业。

·AEC Q101合格(请参考数据表)
·无铅电镀,符合RoHS

特色

  • 增强模式
  • 雪崩等级
  • 无铅铅镀层;符合RoHS
  • AEC Q101批准的小型信号包

应用

  • 汽车
  • 消费者
  • 直流-直流
  • 电子移动性
  • 电机控制
  • 笔记本
  • 车载充电器
BSS84PWH6327XTSA1所属分类:分立双极结型晶体管,BSS84PWH6327XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSS84PWH6327XTSA1价格参考¥2.375671,你可以下载 BSS84PWH6327XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSS84PWH6327XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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