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FDMS7694是MOSFET N-CH 30V POWER56，包括卷盘封装，它们设计为以0.002610盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如Power-56-8，技术设计为在Si中工作，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供27 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为1.6 ns，上升时间为2 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为44 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为11.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型导通延迟时间为8.4ns，Qg栅极电荷为7nC，正向跨导Min为55S。
FDMS7692A是MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002402盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为17 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为2.7 ns，器件的漏极-源极电阻为10欧姆，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为Power-56-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为13.5A，正向跨导最小值为68S，下降时间为2.3ns，配置为单一，信道模式为增强。
FDMS7692E，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDMS7692E采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
