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FDMT800150DC带有引脚细节，包括PowerTrench系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，该产品提供商标功能，如Dual Cool 88，包装盒设计用于Power88-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有156 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9.3 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为99 a，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为41ns，典型接通延迟时间为31ns，Qg栅极电荷为77nC，正向跨导最小值为48S，沟道模式为增强。
FDMT800152DC是MOSFET PT5 150V/20V Nch双冷功率沟道MOSFET，包括2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如24 ns，典型的关断延迟时间设计为36 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道三极管极性。此外，商品名为Dual Cool 88，该器件采用Si技术，该器件具有串联的PowerTrench，上升时间为13纳秒，漏极上的Rds源极电阻为19毫欧，Qg栅极电荷为59纳秒，Pd功耗为113瓦，封装为卷轴，封装盒为Power88-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为72 A，正向跨导最小值为41 S，下降时间为7.9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDMT80080DC带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为在30 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了116 S中使用的最小正向跨导，该116 S提供Id连续漏极电流功能，如36 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为2信道，该器件采用DualCool88-8封装盒，该器件具有一个封装卷轴，Pd功耗为156 W，Qg栅极电荷为195 nC，漏极电阻Rds为1.06 mOhm，上升时间为65 ns，系列为PowerTrench，技术为Si，商品名为DualCool 88，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为67ns，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.1V。
FDMT80060DC，带EDA/CAD型号，包括SMD/SMT安装样式，它们设计为使用Si技术操作，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供PowerTrench等系列功能，晶体管极性设计为在N信道以及增强信道模式下工作，该设备也可作为DualCool88-8封装盒使用。此外，商品名为Dual Cool 88，该器件的典型开启延迟时间为75 ns，该器件具有66 ns的典型关闭延迟时间，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，上升时间为47 ns，Id连续漏极电流为43 a，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5 V，Vgs栅-源极电压为20 V，晶体管类型为2N沟道，沟道数为2沟道，下降时间为19ns，Qg栅极电荷为170nC，Pd功耗为156W，正向跨导最小值为134S，漏极-源极电阻Rds为1.1mOhm，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
