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FDMS9408_F085带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.008818 oz单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如Power-56-8，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供214 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为24 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏电流为80 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为71nC，沟道模式为增强。
FDMS8880是MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002402盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为23 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以6 ns上升时间提供，器件具有8.5 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为Power-56-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为13.5 A，下降时间为4 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强。
FDMS8888是MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-PQFN，包括13.5A Id连续漏极电流，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，通道数设计为在1个通道中工作，以及Power-56-8封装盒，该装置也可以用作卷筒包装。此外，Pd功耗为42 W，器件提供9.5 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.002610盎司，Vds漏极源极击穿电压为30 V。
