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FDMD8900

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A、17A 供应商设备包装: 12-Power3.3x5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 329

数量 单价 合计
329+ 6.59103 2168.45183
  • 库存: 17798
  • 单价: ¥6.59104
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,168.45
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 最大功率 2.1瓦
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 19A、17A
  • 导通电阻 Rds(ON) 4毫欧姆 @ 19A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2605FF@15V
  • 包装/外壳 12 PowerWDFN
  • 供应商设备包装 12-Power3.3x5

FDMD8900 产品详情

该器件在双3.3x5mm热增强功率封装中使用了两个优化的N-ch FET。HS源极和LS漏极内部连接,提供低源电感封装,有助于提供最佳FOM。

特色

  • Q1:VGS=10 V时,N信道最大rDS(开启)=4 mΩ;VGS=4.5 V时,ID=19 AMax rDS(打开)=5 mΩ;VGA=3.8 V时,D=17 AMax rS(开启)=6.5 mΩ;V=3.5 V时,I=15 AMax rRS(开启)=8.3 mΩ;ID=14 A
  • Q2:VGS=10 V时,N信道最大rDS(开启)=5.5 mΩ;VGS=4.5 V时,ID=17 AMax rDS(打开)=6.5 mΩ,VGS=3.8 V时,D=15 AMax rRS(开启)=9 mΩ;VGA=3.5 V时,I=13 AMax rS(开启)=12 mΩ,ID=12 A
  • 理想的桥梁拓扑主侧柔性布局
  • 终端为无铅且符合RoHS
  • 100%UIL测试
  • Kelvin高端MOSFET驱动引脚输出能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDMD8900所属分类:场效应晶体管阵列,FDMD8900 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDMD8900价格参考¥6.591039,你可以下载 FDMD8900中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDMD8900规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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