9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDMC8298，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMC8298参考价格为0.47000美元。其他FDMC8298封装/规格：N沟道功率沟道MOSFET。您可以下载FDMC8298英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FDMC8298价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FDMC8296是MOSFET N-CH 30V 12A POWER33，包括卷轴封装，它们设计为在0.007408盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如MLP-8，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.3 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极-源极电阻为6.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为7.6nC 16nC，正向跨导最小值为44S，沟道模式为增强。
FDMC8200S_F065带有用户指南，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.007408盎司单位重量下工作，典型的开启延迟时间如数据表注释所示，用于11 ns 20 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如35 ns 56 ns，晶体管类型设计为在2 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，上升时间为3.1 ns 1.8 ns，器件的漏极电阻为20 mOhms Rds，器件的Pd功耗为1.9 W 2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为Power-33-8，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为18 A，正向跨导最小值为29 S 43 S，下降时间为1.3 ns 8.5 ns，配置为双非对称三漏三源。
FDMC8200S_F106带电路图，包括6A、8.5A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于10nC@10V，除了660pF@15V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8 PowerWDFN封装盒，该器件具有Digi-ReelR封装，最大功率为700mW，1W，最大Id Vgs上的Rds为20 mOhm@6A，10V，系列为PowerTrenchR，供应商设备包为8-MLP（3.3x3.3），功率33，Vgs最大Id为3V@250μA。
