久芯网

FDMS3600S

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、30A(Tc)、30A 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 275

数量 单价 合计
275+ 7.89476 2171.05927
  • 库存: 3000
  • 单价: ¥7.89476
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,171.06
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 场效应管类型 2 N通道(双通道)不对称
  • 供应商设备包装 8-PQFN (5x6)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15A(Ta)、30A(Tc)、30A
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.6毫欧姆 @ 15A, 10V, 1.6毫欧姆 @ 30A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.7V@250A、 3V@1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27nC @ 10V, 82nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 13V时1680皮法,13V时5375皮法
  • 最大功率 2.2W(Ta)、2.5W(Ta

FDMS3600S 产品详情

该器件包括双PQFN封装中的两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接,以实现同步降压转换器的轻松放置和布线。控制MOSFET(Q1)和同步SyncFET™ (Q2)被设计为提供最佳的功率效率。

特色

  • Q1:N信道最大RDS(开启)=5.6 mΩ VGS=10 V时,ID=15 A最大RDS(开启)=8.1 mΩ VGS=4.5 V,ID=14 A时
  • Q2:N信道最大RDS(开启)=1.6 mΩ VGS=10 V时,ID=30 A最大RDS(开启)=2.4 mΩ VGS=4.5 V,ID=25 A时
  • 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而降低了开关损耗
  • MOSFET集成可实现优化布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
  • 符合RoHS

应用

  • 笔记本电脑
FDMS3600S所属分类:场效应晶体管阵列,FDMS3600S 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDMS3600S价格参考¥7.894761,你可以下载 FDMS3600S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDMS3600S规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部