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FDMS3600S是MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.003175盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Power Stage，以及8-PowerTDFN包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为Power56，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双）不对称，功率最大值为1W，晶体管类型为2 N-通道，漏极-源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为1680pF@13V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为15A、30A，最大Id Vgs的Rds为5.6mOhm@15A、10V，Vgs最大Id为2.7V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为27nC@10V，Pd功耗为2.2W、2.5W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为1.8 ns 3.9 ns，上升时间为2 ns 5.3 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为15 A 30 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.8 V 1.5 V，Rds导通漏极-源极电阻为5.6mOhms 1.6mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns 38ns，典型接通延迟时间为7.9ns 13ns，Qg栅极电荷为19nC，正向跨导Min为67S 171S。
FDMS3602S是MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，提供单位重量功能，如0.003175 oz，典型开启延迟时间设计为在7.9 nS 12 nS下工作，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以Power Stage商品名提供，该器件具有技术Si，供应商器件封装为Power56，系列为PowerTrenchR，上升时间为2 nS 4.2 nS，Rds On Max Id Vgs为5.6 mOhm@15A，10V，Rd On Drain Source Resistance为5.6 m欧姆，Qg栅极电荷为19 nC 45 nC，功率最大值为1W，Pd功耗为2.5W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerTDFN，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为1680pF@13V，Id连续漏极电流为15 A，栅极电荷Qg-Vgs为27nC@10V，正向跨导最小值为67 S 132 S，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为1.8 nS 3.2 nS，漏极-源极电压Vdss为25V，电流连续漏极Id 25°C为15A，26A，配置为双非对称三漏三源。
FDMS3602AS是MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56，包括15A、26A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于25V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双）不对称，栅极电荷Qg Vgs设计用于27nC@10V，以及1770pF@13V输入电容Cis-Vds，该器件也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备具有8 PowerTDFN封装盒，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为2.2W、2.5W，Rds On Max Id Vgs为5.6mOhm@15A、10V，系列为PowerTrenchR，供应商设备封装为Power56，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，单位重量为0.003175盎司，Vgs th最大Id为3V@250μA。
