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FDMS7600AS是MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007443盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerWDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商设备包的Power56，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1750pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为12A、22A，Rds On最大Id Vgs为7.5 mOhm@12A、10V，Vgs th最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为28nC@10V，Pd功耗为1 W，下降时间为2.3 ns 5.2 ns，上升时间为2.5 ns 7.6 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为30 A 40 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.8 V 1.5 V，Rds导通漏极-电源电阻为7.5 mOhms 2.8 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20 ns 45 ns，典型接通延迟时间为8.6 ns 18 ns，Qg栅极电荷为20 nC 81 nC，并且正向跨导Min为63S190S。
FDMS7602S是MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1.8 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，例如30 V，该器件还可以用作20ns 27ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为2 N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有技术硅，供应商器件封装为Power56，系列为PowerTrenchR，上升时间为2.5 ns 3.8 ns，Rds On Max Id Vgs为7.5 mOhm@12A，10V，Rds On Drain Source Resistance为7.5 mOhms 5 mOhms，Qg Gate Charge为20 nC 33 nC，最大功率为1W，Pd功耗为1 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerWDFN，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为1750pF@15V，Id连续漏极电流为30 A，栅极电荷Qg Vgs为28nC@10V，正向跨导最小值为63 S 87 S，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为2.3 ns 3.2 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为12A，17A，配置为双。
FDMS7603S，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDMS7603S采用DFN-8封装，是IC芯片的一部分。
