HUFA76413DK8

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
  • 导通电阻 Rds(ON) 49毫欧姆 @ 5.1A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 620皮法 @ 25V
  • 最大功率 2.5W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.1A (Tc)

HUFA76413DK8 产品详情

HUFA76413DK8所属分类:场效应晶体管阵列,HUFA76413DK8 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。HUFA76413DK8价格参考¥2.245299,你可以下载 HUFA76413DK8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HUFA76413DK8规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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