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BSS138AKAR带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.050717盎司的单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装盒功能。技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为1信道，该设备在SOT-23（TO-236AB）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为300mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为47pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为200mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为4.5 Ohm@100mA，10V，Vgs最大Id为1.5V@250A，栅极电荷Qg Vgs为0.51nC@4.5V，Pd功耗为1.06 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为6 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为200mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型导通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为0.39nC，前向跨导Min为320mS，信道模式为增强。
BSS138BK是MOSFET N-CH 60V TO-236AB，包括1.6V@250μA Vgs th Max Id，设计用于SOT-23（TO-236AA）供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于汽车、AEC-Q101、TrenchMOS？、？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如1.6 Ohm@350mA，10V，Power Max设计为工作在350mW，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件具有56pF@10V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为0.7nC@4.5V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C的电流连续漏极Id为360mA（Ta）。
BSS138AT，带有ZETEX制造的电路图。BSS138AT在SOT23封装中提供，是IC芯片的一部分。
