9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的BSS138DW-7-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSS138DW-7-F参考价格为0.50000美元。Diodes Incorporated BSS138DW-7-F封装/规格：MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6。您可以下载BSS138DW-7-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSS138BKW，115是MOSFET N-CH 60V SOT323，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于SC-70、SOT-323，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及SOT-323供应商设备包，该设备也可以用作MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型。此外，最大功率为260mW，器件提供60V漏极到源极电压Vdss，器件具有56pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为320mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为1.6 Ohm@320mA，10V，Vgs最大Id为1.6V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.7nC@4.5V。
BSS138DW-7是MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于SOT-363供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于3.5 Ohm@220mA，10V，提供功率最大特性，如200mW，封装设计用于切割带（CT），以及6-TSSOP、SC-88、SOT-3633封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供50pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有2 N通道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为50V，电流连续漏极Id 25°C为200mA。
BSS138DW7-07，电路图由DIODES制造。BSS138DW7-07采用SOT-23-6封装，是IC芯片的一部分。
