BSS8402DWQ-7

Name: BSS8402DWQ-7
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7122229-BSS8402DWQ-7
Price: 1.166976 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 60V, 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安、130毫安供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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规格参数

部件状态可供货
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
安装类别表面安装
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
场效应管特性逻辑电平门
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
场效应管类型 N和P通道
包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
最大功率 200mW
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50皮法 @ 25V
供应商设备包装 SOT-363
漏源电压标 (Vdss) 60V, 50V
漏源电流 (Id) @ 温度 115毫安、130毫安
导通电阻 Rds(ON) 13.5欧姆@500毫安，10V

BSS8402DWQ-7 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

特色

•低导通电阻•低栅极阈值电压•低输入电容•快速开关速度•低输入/输出泄漏•互补对•完全无铅且完全符合RoHS要求•无卤素和锑。“绿色”设备•符合AEC-Q101高可靠性标准

应用

•通用接口开关•电源管理功能•模拟开关

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型号	制造商	描述	价格
BSS63LT1	安盛美 (onsemi)	TRANS PNP 100V 100MA SOT-23	¥0.14486
BSS63,215	恩智浦 (NXP)	TRANS PNP 100V 100MA SOT23	¥0.14486
BSS159NH6327XTSA1	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta）最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.41817
BSS169H6327	英飞凌 (Infineon)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA	¥3.29997
BSS308PEH6327	英飞凌 (Infineon)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A	¥1.30769
BSS138PS	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.41679
BSS138NH6327-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.05442
BSS131	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	暂无	¥0.54386
BSS138LT1G-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09695
BSS138W-7-F-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09309

BSS8402DWQ-7所属分类：场效应晶体管阵列，BSS8402DWQ-7 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS8402DWQ-7价格参考￥1.166976，你可以下载 BSS8402DWQ-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS8402DWQ-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！