9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTL2X200N085T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTL2X200N085T参考价格$91.992。IXYS IXTL2X200N085T封装/规格：MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK。您可以下载IXTL2X200N085T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTL2X200N085T价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTL2N450是MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK，包括IXTL2N 450系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式特征，包装盒设计用于ISOPLUSi5 Pak？，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该设备提供1通道数量的通道，该设备具有ISOPLUSi5 Pak？供应商设备包，配置为单一，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，功率最大值为220W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为4500V（4.5kV），输入电容Cis Vds为6900pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2A（Tc），最大值Rds Id Vgs为23 Ohm@1A，10V，Vgs的最大Id为6V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为156nC@10V，Pd功耗为220W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为205 ns，上升时间为38 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为4500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V至5.5V，Rds漏极源极电阻为23欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为44ns，Qg栅极电荷为156nC，正向跨导最小值为2.2S，信道模式是增强。
IXTL2X180N10T是MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK，包括4.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在100V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如33纳秒，典型的关闭延迟时间设计为42纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术是Si，该设备采用ISOPLUSi5 Pak？供应商设备包，设备有沟槽？串联，上升时间为54 ns，Rds On Max Id Vgs为7.4 mOhm@50A，10V，Rds On Drain Source电阻为7.4 mOhm，功率最大值为150W，Pd功耗为150W；包装为管，包装盒为ISOPLUSi5 Pak？，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为通孔，安装类型为通孔。它的最低工作温度范围是-55 C，最大工作温度范围+175 C，输入电容Cis-Vds为6900pF@25V，Id连续漏电流为200 A，栅极电荷Qg Vgs为151nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，下降时间为31 ns，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id为25°C为100A，配置为双公共栅极，沟道模式为增强型。
IXTK90P20P是MOSFET P-CH 200V 90A TO-264，包括单一配置，它们设计用于90A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于200V，提供FET特性，如标准，FET类型设计用于MOSFET P沟道、金属氧化物以及205nC@10V栅极电荷Qg Vgs，该器件也可用作-90 A Id连续漏电流。此外，输入电容Ciss Vds为12000pF@25V，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，通道数为1通道，其工作温度范围在-55°C ~ 150°C（TJ），包装箱为TO-264-3、TO-264AA，封装为管，Pd功耗为890W，最大功率为890W；漏极-源极电阻Rds为44mOhm，最大Id Vgs Rds为44 mOhm@500mA，10V，串联为PolarP？，供应商器件封装为TO-264（IXTK），技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，单位重量为0.352740 oz，Vds漏极-源极击穿电压为-200 V，Vgs栅极-源极电压为20 V，Vgsth最大Id为4V@1mA。
