9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTL2X220N075T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTL2X220N075T参考价格为0.746美元。IXYS IXTL2X220N075T封装/规格：MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK。您可以下载IXTL2X220N075T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTL2N450是MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK，包括IXTL2N 450系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式特征，包装盒设计用于ISOPLUSi5 Pak？，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该设备提供1通道数量的通道，该设备具有ISOPLUSi5 Pak？供应商设备包，配置为单一，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，功率最大值为220W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为4500V（4.5kV），输入电容Cis Vds为6900pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2A（Tc），最大值Rds Id Vgs为23 Ohm@1A，10V，Vgs的最大Id为6V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为156nC@10V，Pd功耗为220W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为205 ns，上升时间为38 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为4500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V至5.5V，Rds漏极源极电阻为23欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为44ns，Qg栅极电荷为156nC，正向跨导最小值为2.2S，信道模式是增强。
IXTL2X180N10T是MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK，包括4.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在100V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如33纳秒，典型的关闭延迟时间设计为42纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术是Si，该设备采用ISOPLUSi5 Pak？供应商设备包，设备有沟槽？串联，上升时间为54 ns，Rds On Max Id Vgs为7.4 mOhm@50A，10V，Rds On Drain Source电阻为7.4 mOhm，功率最大值为150W，Pd功耗为150W；包装为管，包装盒为ISOPLUSi5 Pak？，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为通孔，安装类型为通孔。它的最低工作温度范围是-55 C，最大工作温度范围+175 C，输入电容Cis-Vds为6900pF@25V，Id连续漏电流为200 A，栅极电荷Qg Vgs为151nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，下降时间为31 ns，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id为25°C为100A，配置为双公共栅极，沟道模式为增强型。
IXTL2X200N085T是MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK，包括112A电流连续漏极Id 25°C，设计用于85V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于152nC@10V，除了7600pF@25V输入电容Cis-Vds之外，该器件还可以用作通孔安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件采用ISOPLUSi5 Pak？包装箱，该设备有一个包装管，最大功率为150W，最大Id Vgs的Rds为6 mOhm@50A，10V，系列为TrenchMV？，供应商设备包为ISOPLUSi5 Pak？，Vgsth最大Id为4V@250μA。
