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IXTH76P10T
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IXTH76P10T

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 57.50862 57.50862
10+ 51.96056 519.60565
100+ 43.01992 4301.99290
500+ 37.46114 18730.57400
1000+ 32.95700 32957.00600
  • 库存: 399
  • 单价: ¥57.50863
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥57.51
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 包装/外壳 至247-3
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 最大功耗 298W（Tc）
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 76A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 25毫欧姆@38A，10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 197 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 13700 pF @ 25 V
  • 供应商设备包装 TO-247 (IXTH)

IXTH76P10T 产品详情

沟槽P沟道MOSFET非常适合于“高端”开关应用，其中可以使用参考地的简单驱动电路，避免了使用N沟道MOSFET时通常涉及的额外“高端”驱动器电路。这使得设计者能够减少元件数量，从而改善驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应N沟道MOSFET的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。

特色

  • 快速本征二极管
  • 低Qg和RDSon
  • 雪崩等级
  • 扩展FBSOA
  • 国际标准包
优势：

  • 低栅极电荷导致简单的驱动要求
  • 高功率密度
  • 快速切换

应用

  • 高压侧开关
  • 负载开关
  • 低压应用
  • 高效开关电源
  • 逆变器和电池充电器

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器件图
型号
制造商
描述
价格
IXTL2X180N10TIXTL2X180N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥134.30365
IXTL2X200N085TIXTL2X200N085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥666.28886
IXTL2X220N075TIXTL2X220N075T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥5.4032
IXTL2X240N055TIXTL2X240N055T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥2.79576
IXTA3N100D2IXTA3N100D2艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥42.00882
IXTA26P20PIXTA26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥48.81715
IXTP96P085TIXTP96P085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥49.97601
IXTP26P20PIXTP26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥50.12087
IXTH76P10TIXTH76P10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥57.50863
IXTH200N10TIXTH200N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥66.77954
IXTH76P10T所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTH76P10T 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTH76P10T价格参考￥57.508626，你可以下载 IXTH76P10T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTH76P10T规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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