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IXTA26P20P
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IXTA26P20P

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 48.81714 48.81714
10+ 44.09477 440.94775
100+ 36.50783 3650.78370
500+ 31.79039 15895.19600
1000+ 27.96809 27968.09600
  • 库存: 2866
  • 单价: ¥48.81715
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥48.82
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 供应商设备包装 TO-263AA
  • 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 26A（Tc）
  • 导通电阻 Rds(ON) 170毫欧姆@13A，10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 56 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2740 pF@25 V
  • 最大功耗 300W (Tc)

IXTA26P20P 产品详情

IXTA26P20P P沟道MOSFET是使用我们的Polar技术平台制造的，与传统的同类产品相比，它显著降低了30%的导通电阻（RDSon）和40%的栅极电荷（Qg），从而降低了传导损耗并提供了优异的开关性能。它们具有动态dv/dt和雪崩额定值，使它们在苛刻的操作环境中非常坚固，并且由于具有正温度系数的导通电阻，可以很容易地并联。这些MOSFET在各种应用中非常理想，具有一流的性能和有竞争力的价格。应用包括推挽放大器、降压转换器、直流斩波器、功率固态继电器、CMOS高功率放大器、高电流调节器以及汽车和测试设备中的高压侧开关。极性P沟道功率MOSFET的卓越耐用性也使其适合于电机控制和功率切断开关或功率SSR的节能应用。

应用

  • 快速本征二极管
  • 坚固的PolarP™ 过程
  • 雪崩等级
  • 低封装电感
  • 额定动态dv/dt

优势：

  • 低栅极电荷导致简单的驱动要求
  • 高功率密度
  • 易于并行
  • 快速切换

应用：

  • 高压侧开关
  • 推挽放大器
  • DC-DC和DC-AC转换器
  • 自动测试设备
  • 电池充电器应用
  • 电流调节器

IXTA26P20P 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
IXTL2X180N10TIXTL2X180N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥134.30365
IXTL2X200N085TIXTL2X200N085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥666.28886
IXTL2X220N075TIXTL2X220N075T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥5.4032
IXTL2X240N055TIXTL2X240N055T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥2.79576
IXTA3N100D2IXTA3N100D2艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥42.00882
IXTA26P20PIXTA26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥48.81715
IXTP96P085TIXTP96P085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥49.97601
IXTP26P20PIXTP26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥50.12087
IXTH76P10TIXTH76P10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥57.50863
IXTH200N10TIXTH200N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥66.77954
IXTA26P20P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTA26P20P 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTA26P20P价格参考￥48.817146，你可以下载 IXTA26P20P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTA26P20P规格参数、现货库存、封装信息等信息！

艾赛斯.力特 (IXYS)

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