特色
- VGS=4.5 V，ID=23 A时，最大rDS（开）=2.7 mΩ
- VGS=2.5 V，ID=17.5 A时，最大rDS（开）=4.7 mΩ
- 用于极低rDS的高性能技术（开启）
- 终端是无铅的
- 100%UIL测试
- 符合RoHS
应用
- DC-DC商用电源
FDMC86012
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A（Ta） 最大功耗: 2.3W（Ta）、54W（Tc） 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 29.62346 | 29.62346 |
| 10+ | 26.58144 | 265.81443 |
| 100+ | 21.77650 | 2177.65030 |
| 500+ | 18.53820 | 9269.10150 |
| 1000+ | 17.76668 | 17766.68900 |
| 3000+ | 17.76661 | 53299.84800 |
- 库存: 2679
- 单价: ¥18.83154
-
数量:
- +
- 总计: ¥29.62
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 23A（Ta）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 导通电阻 Rds(ON) 2.7毫欧姆@23A，4.5V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 38 nC @ 4.5 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5075 pF @ 15 V
- 最大功耗 2.3W（Ta）、54W（Tc）
- 供应商设备包装 Power33
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
FDMC86012 产品详情
该装置专门设计用于提高DC-DC转换器的效率。使用MOSFET结构中的新技术，优化了栅极电荷和电容的各个组件，以减少开关损耗。低栅极电阻和极低的米勒电荷使得自适应和固定死区栅极驱动电路都具有优异的性能。维持了非常低的rDS（开），以提供子逻辑级器件。
FDMC86012 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMC86012所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDMC86012 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMC86012价格参考￥18.831540，你可以下载 FDMC86012中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMC86012规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
