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IXTH02N250
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IXTH02N250

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 2500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 130.37220 130.37220
10+ 119.81929 1198.19295
100+ 101.19635 10119.63500
500+ 90.02113 45010.56750
  • 库存: 221
  • 单价: ¥130.37220
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥130.37
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 包装/外壳 至247-3
  • 供应商设备包装 TO-247 (IXTH)
  • 漏源电压标 (Vdss) 2500伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安（Tc）
  • 导通电阻 Rds(ON) 450欧姆 @ 50毫安, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 116 pF@25 V
  • 最大功耗 83W (Tc)

IXTH02N250 产品详情

IXTH02N250系列N沟道标准MOSFET专门设计用于满足苛刻的快速开关电源转换应用，需要高达4.5kV的非常高的阻断电压。由于其导通电阻的正温度系数，这些非常高的电压MOSFET非常适合并联器件操作，与串联连接的低电压MOSFET相比，它提供了经济高效的解决方案。这也导致了相关栅极驱动电路的减少，进一步简化了设计，节省了PCB板空间，并提高了整个系统的可靠性。

特色

  • 高阻断电压
  • 专有高压ISOPLUS™ 包装
  • 高达4500V电气隔离（DCB）
  • UL 94 V-0可燃性合格（模塑环氧树脂）

应用

  • 电容器放电电路
  • 高压电源
  • 脉冲电路
  • 激光和X射线生成系统
  • 高压继电器断开电路
  • 来自电网的能量挖掘应用

优势：

  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

IXTH02N250 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
IXTL2X180N10TIXTL2X180N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥134.30365
IXTL2X200N085TIXTL2X200N085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥666.28886
IXTL2X220N075TIXTL2X220N075T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥5.4032
IXTL2X240N055TIXTL2X240N055T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥2.79576
IXTA3N100D2IXTA3N100D2艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥42.00882
IXTA26P20PIXTA26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥48.81715
IXTP96P085TIXTP96P085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥49.97601
IXTP26P20PIXTP26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥50.12087
IXTH76P10TIXTH76P10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥57.50863
IXTH200N10TIXTH200N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥66.77954
IXTH02N250所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTH02N250 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTH02N250价格参考￥130.372200，你可以下载 IXTH02N250中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTH02N250规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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