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IXTH30N60L2
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IXTH30N60L2

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 540W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 143.19213 143.19213
10+ 131.58900 1315.89007
100+ 111.13578 11113.57820
500+ 98.86341 49431.70600
  • 库存: 1421
  • 单价: ¥143.19213
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥143.19
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 包装/外壳 至247-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-247 (IXTH)
  • 最大功耗 540W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 240毫欧姆@15A、10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 335 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10700 pF @ 25 V

IXTH30N60L2 产品详情

这些独特的器件专为需要功率MOSFET在其电流饱和区工作的应用而设计，具有低热阻、高功率密度和扩展的正向偏置安全工作区（FBSOA）。当功率MOSFET用于线性模式操作时，与传统的开关模式相比，由于同时出现高漏极电压和电流，它们需要承受实质上高的热应力和电应力；这些极端的应力会导致典型的设备失效。IXYS LinearIXTH30N60L2功率MOSFET被设计用于解决这些类型的器件故障——当电热不稳定性的正反馈被抑制时，FBSOA被“扩展”，从而产生更大的“操作窗口”。FBSOA保证在75°C。

特色

  • 设计用于线性操作
  • 75°C时的保证FBSOA
  • 低导通电阻RDS（接通）
  • 雪崩等级
  • 国际标准包
  • UL 94 V-0可燃性合格（模塑环氧树脂）

应用

  • 电子保险丝和热插拔电路
  • 电池管理
  • 电流调节器
  • 线性放大器
  • 风扇控制器
  • 可编程负载
  • 软启动控制

 

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器件图
型号
制造商
描述
价格
IXTL2X180N10TIXTL2X180N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥134.30365
IXTL2X200N085TIXTL2X200N085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥666.28886
IXTL2X220N075TIXTL2X220N075T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥5.4032
IXTL2X240N055TIXTL2X240N055T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥2.79576
IXTA3N100D2IXTA3N100D2艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥42.00882
IXTA26P20PIXTA26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥48.81715
IXTP96P085TIXTP96P085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥49.97601
IXTP26P20PIXTP26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥50.12087
IXTH76P10TIXTH76P10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥57.50863
IXTH200N10TIXTH200N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥66.77954
IXTH30N60L2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTH30N60L2 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTH30N60L2价格参考￥143.192133，你可以下载 IXTH30N60L2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTH30N60L2规格参数、现货库存、封装信息等信息！

艾赛斯.力特 (IXYS)

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