专为线性操作而设计的N沟道功率MOSFET。这些设备具有扩展的前向偏置安全工作区（FBSOA），以提高耐用性和可靠性。
特色
- 设计用于线性操作
- 75°C时的保证FBSOA
- 低导通电阻RDS（接通）
- 雪崩等级
- 国际标准包
- UL 94 V-0可燃性合格（模塑环氧树脂）
应用
- 电子保险丝和热插拔电路
- 电池管理
- 电流调节器
- 线性放大器
- 风扇控制器
- 可编程负载
- 软启动控制
IXTN200N10L2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 178A（Tc） 最大功耗: 830W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 357.58197 | 357.58197 |
| 10+ | 333.62970 | 3336.29703 |
| 100+ | 289.67544 | 28967.54400 |
- 库存: 1006
- 单价: ¥357.58197
-
数量:
- +
- 总计: ¥357.58
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 安装类别 机箱安装
- 供应商设备包装 SOT-227B
- 包装/外壳 SOT-227-4，迷你超直瞄
- 最大功耗 830W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 178A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 11毫欧姆@100A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 3毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 540 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 23000 pF@25 V
IXTN200N10L2 产品详情
N沟道功率MOSFET，IXYS线性系列
IXTN200N10L2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXTL2X180N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥134.30365 |
| IXTL2X200N085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥666.28886 |
| IXTL2X220N075T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.4032 |
 | IXTL2X240N055T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.79576 |
 | IXTA3N100D2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.00882 |
 | IXTA26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥48.81715 |
 | IXTP96P085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.97601 |
 | IXTP26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.12087 |
 | IXTH76P10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥57.50863 |
 | IXTH200N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥66.77954 |
IXTN200N10L2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTN200N10L2 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTN200N10L2价格参考￥357.581973，你可以下载 IXTN200N10L2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTN200N10L2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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