沟槽栅功率MOSFET非常适合低电压/高电流应用，需要极低的RDS（ON），从而保证极低的功耗。这与-40°C至175°C的宽范围工作结温度相结合，使其适合在恶劣环境中的汽车应用和其他类似苛刻应用。
特色
- 国际标准包装
- 低RDS（ON）
- 雪崩等级
- 高电流处理能力
- 快速本质整流器
- 易于安装
- 节省的空间
- 高功率密度
应用
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC转换器
- 电池充电器
- 不间断电源
- 交流电机驱动
- 直流斩波器
- 高速功率开关应用
IXTP130N10T
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 130A（Tc） 最大功耗: 360W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 27.01601 | 27.01601 |
| 10+ | 24.27820 | 242.78201 |
| 100+ | 19.88900 | 1988.90030 |
| 500+ | 16.93129 | 8465.64650 |
| 1000+ | 14.27945 | 14279.45000 |
| 2000+ | 13.90854 | 27817.08200 |
- 库存: 175
- 单价: ¥27.01602
-
数量:
- +
- 总计: ¥27.02
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 130A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 9.1毫欧姆 @ 25A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 104 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5080 pF @ 25 V
- 最大功耗 360W (Tc)
IXTP130N10T 产品详情
IXTP130N10T 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXTL2X180N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥134.30365 |
| IXTL2X200N085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥666.28886 |
| IXTL2X220N075T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.4032 |
 | IXTL2X240N055T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.79576 |
 | IXTA3N100D2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.00882 |
 | IXTA26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥48.81715 |
 | IXTP96P085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.97601 |
 | IXTP26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.12087 |
 | IXTH76P10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥57.50863 |
 | IXTH200N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥66.77954 |
IXTP130N10T所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTP130N10T 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTP130N10T价格参考￥27.016017，你可以下载 IXTP130N10T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTP130N10T规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
从消费电子产品到汽车和工业设施，Littelfuse产品都是使用电能的应用中至关重要的组件。他们提供业界最广泛、最深入的电路保护产品组合，在功率控制和传感方面的平台也在不断增长。作为加速有机增长和战略收...
