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IXTQ36N30P
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IXTQ36N30P

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 39.40137 39.40137
10+ 35.35983 353.59838
100+ 28.96870 2896.87030
500+ 24.66033 12330.16800
1000+ 20.79784 20797.84200
2000+ 20.25766 40515.33400
  • 库存: 225
  • 单价: ¥39.40138
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥39.40
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 300伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2250 pF@25 V
  • 最大功耗 300W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-3P
  • 包装/外壳 至3P-3，SC-65-3
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 70 nC @ 10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.5V @ 250A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 36A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 110欧姆@18A，10V

IXTQ36N30P 产品详情

IXTQ36N30P标准功率MOSFET是专门为设计人员提供的器件解决方案，在性能和成本之间提供最佳折衷。这些设备结合了Polar技术平台，以实现低通态电阻RDS（on）。极性标准MOSFET具有低栅极电荷Qg值，从而在所有频率下实现更有效的切换。这为设计者提供了在更高频率下操作的选项，这使得能够在各种负载切换设计中使用更小的无源元件。这些设备的雪崩能力增加了对过电压瞬变的额外保护。

特色

  • 国际标准包装
  • 动态dv/dt额定值
  • 低RDS（ON）和Qg
  • 雪崩额定值
  • 低封装电感

应用

  • DC-DC转换器
  • 蓄电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 灯镇流器
  • 交流和直流电机驱动
  • 机器人和伺服控制
  • 激光驱动器

优势：

  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

IXTQ36N30P 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
IXTL2X180N10TIXTL2X180N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥134.30365
IXTL2X200N085TIXTL2X200N085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥666.28886
IXTL2X220N075TIXTL2X220N075T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥5.4032
IXTL2X240N055TIXTL2X240N055T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥2.79576
IXTA3N100D2IXTA3N100D2艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥42.00882
IXTA26P20PIXTA26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥48.81715
IXTP96P085TIXTP96P085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥49.97601
IXTP26P20PIXTP26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥50.12087
IXTH76P10TIXTH76P10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥57.50863
IXTH200N10TIXTH200N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥66.77954
IXTQ36N30P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTQ36N30P 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTQ36N30P价格参考￥39.401376，你可以下载 IXTQ36N30P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTQ36N30P规格参数、现货库存、封装信息等信息！

艾赛斯.力特 (IXYS)

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