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HUF76423P3是MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB，包括UltraFET系列，它们设计用于管封装，零件别名显示在HUF76423P3_NL中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.063493盎司，安装样式设计用于通孔，以及TO-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为85 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为76 ns，上升时间为85 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-电源电阻为25mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
HUF76423S3S，带有FAIRCHILD制造的用户指南。HUF76423S3S采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
HUF76429D，带有FAIRCHILD制造的电路图。HUF76429D采用TO-251-3封装，是FET的一部分-单体。
HUF76429D_F085，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。HUF76429D_F085采用TO-2523L（DPAK）封装，是IC芯片的一部分。
