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HUFA75321D3ST是MOSFET N-CH 55V 20A DPAK，包括卷轴封装，它们设计用于HUFA75321 D3ST_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有93 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为66 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为20 a，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为36mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强型。
HUFA75309P3是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB。HUFA75309P3以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB、N沟道55V 19V（Tc）55W（Tc）通孔TO-220AA、Trans MOSFET N-CH-Si 55V 19B 3-Pin（3+Tab）TO-220AC导轨。
HUFA75309T3ST是FSC制造的MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223。HUFA75309T3ST在TO-261-4、TO-261AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223、N沟道55V 3A（Ta）1.1W（Ta）表面安装SOT-223-4、Trans-MOSFET N-CH Si 55V 3A 4引脚（3+Tab）SOT-223 T/R。
HUFA75321D3S是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 55V 20A DPAK。HUFA75321D3S可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 55V 20A DPak、N沟道55V 20A（Tc）93W（Tc）表面安装TO-252AA、Trans-MOSFET N-CH Si 55V 20A汽车3引脚（2+Tab）TO-252AB。
