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FDMC86570LET60是MOSFET PT7 N-ch 60/20V功率沟道MOSFET，包括卷轴封装，它们设计用于0.005386盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如Power-33-8，技术设计用于Si，以及1信道数量的信道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为54 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为3.9 ns，上升时间为6.2 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为56 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs栅-源极阈值电压为1 V，Rds漏极-源极电阻为5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为63nC，正向跨导Min为75S。
FDMC86570L是MOSFET N-CH 60V 56A POWER33，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.005386 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如34 ns，典型的关闭延迟时间设计为61 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为12 ns，器件的漏极-源极电阻为6.5 mOhm，Qg栅极电荷为88 nC，Pd功耗为54 W，封装为卷轴式，封装外壳为Power-33-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为56A，正向跨导最小值为75S，下降时间为10ns，配置为单一。
FDMC8676是由Fairchild制造的N通道30V 16A（Ta）、18A（Tc）2.3W（Ta）和41W（Tc）表面安装电源33。FDMC8676采用QFN封装，是IC芯片的一部分，支持N沟道30V 16A（Ta）、18A（Tc）2.3W（Ta）和41W（Tc）表面安装电源33。
