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HUF76629D3S

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 431

数量 单价 合计
431+ 5.07003 2185.18293
  • 库存: 42400
  • 单价: ¥5.07003
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,185.18
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 20A(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大功耗 110W(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 46 nC @ 10 V
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商
  • 导通电阻 Rds(ON) 52毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1285 pF@25 V

HUF76629D3S 产品详情

N通道逻辑电平UltraFET®功率MOSFET 100 V,20 A,52 mΩ

特色

  • VGS=10V,ID=20A时,Typ rDS(开)=41 mΩ
  • VGS=10 V,ID=20 A时,典型Qg(tot)=39 nC
  • UIS能力
  • 符合RoHS
  • 符合AEC Q101

应用

  • 汽车发动机控制
  • 动力传动系统管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 分布式电源体系结构和VRM
  • 12V系统的主开关
HUF76629D3S所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HUF76629D3S 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。HUF76629D3S价格参考¥5.070030,你可以下载 HUF76629D3S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HUF76629D3S规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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